北京天科合达第三代半导体材料产业园在深圳落地揭牌
石河子日报
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新闻 时间:2024年03月04日 来源:石河子日报
石河子讯 通讯员张鹏报道 2月27日，北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体材料产业园在深圳落地揭牌。这不仅是深圳市委市政府战略布局的重大引领性项目，更是深圳市在芯片领域突破“卡脖子”难题、打造亚洲最大最先进芯片生产基地的重要一步。
该产业园由天科合达、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，总投资32.7亿元，建设运营主体单位为天科合达控股子公司深圳市重投天科半导体有限公司，占地面积73650.81平方米，总建筑面积达179080.45平方米。园区内设有6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。
天科合达成立于2006年9月，控股股东为新疆天富集团，上市公司天富能源（600509.SH）是天科合达第二大股东。作为国内领先的第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业，天科合达在国内率先建立了完整的碳化硅晶片生产线，并在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一。
该公司坚持自主研发和产业创新，已申请专利60余项，获授权专利40余项，并参与起草并发布国家标准4项、行业标准1项、团体标准8项，先后承担了国家部委、北京市等数十项重点科技攻关项目。为了确保项目顺利转入生产阶段，天科合达提前采购并储备了各类高精尖设备。公司有800名充满活力与才华的团队成员。其中，博士5人、硕士122人、研发人员85人、碳化硅衬底与外延核心技术人员224人，硕博占比达42%，整个团队平均年龄仅28岁。杰出人才如王波、孙国胜、郭钰等，被誉为国内第三代半导体行业的领军人物，为公司的创新发展注入了强大动力。
天科合达设立了研发中心，与平湖实验室、大族激光等企业和机构展开深度合作，共同推动第三代半导体技术的研发和产业化进程。这种开放合作的姿态，不仅加快了技术研发的步伐，也让天科合达站在了全球半导体产业的前沿。
近年来，天科合达在碳化硅生产业务上增速明显。除了在北京、徐州、新疆、深圳等地建成的碳化硅衬底、碳化硅外延片、单晶原料等生产基地外，总投资8.3亿元的江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目于2023年8月动工，总投资约20亿元的碳化硅衬底产业化基地建设二期项目也将于2024年上半年动工。
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